VTC-600-1HD单靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-1HD双靶磁控溅射仪配备有一个靶枪，可选择强磁靶或弱磁靶，弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜，强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。

直流溅射,又称阴极溅射或二极溅射

溅射条件：工作气压10pa左右，溅射电压3000V，靶电流密度0.5mA/cm2,薄膜沉积速率低于0.1mm/min。

工作原理：先让惰性气体（通常为Ar气）产生辉光放电现象产生带电的离子；带电离子紧电场加速撞击靶材表面，使靶材原子被轰击而飞出来，同时产生二次电子，再次撞击气体原子从而形成更多的带电离子；靶材原子携带着足够的动能到达被镀物（衬底）的表面进行沉积。随着气压的变化，溅射法薄膜沉积速率将出现一个极大值，但气压很低的条件下，电子的自由程较长，电子在阴极上消失的几率较大，通过碰撞过程引起气体分子电离的几率较低，离子在阳极上溅射的同时发射出二次电子的几率又由于气压较低而相对较小，这些均导致低气压条件下溅射的速率很低。在压力1Pa时甚至不易维持自持放电！随着气压的升高，电子的平均自由程减小，原子的电离几率增加，溅射电流增加，溅射速率增加。

适宜溅射靶材种类为不易氧化的轻金属,如Au,Ag,Pt等

射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技术。

工作条件：射频溅射可以在1Pa左右的低压下进行，溅射电压1000V，靶电流密度1.0 mA/cm2，薄膜沉积速率0.5mm/min。

工作原理：人们将直流电源换成交流电源。由于交流电源的正负性发生周期交替，当溅射靶处于正半周时，电子流向靶面，中和其表面积累的正电荷，并且积累电子，使其表面呈现负偏压，导致在射频电压的负半周期时吸引正离子轰击靶材，从而实现溅射。由于离子比电子质量大，迁移率小，不像电子那样很快地向靶表面集中，所以靶表面的点位上升缓慢，由于在靶上会形成负偏压，所以射频溅射装置也可以溅射导体靶。在射频溅射装置中，等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内振荡，因此，电子与工作气体分子碰撞并使之电离产生离子的概率变大，故使得击穿电压、放电电压及工作气压显著降低。

优点：1、可在低气压下进行，溅射速率高。

2、不仅可溅射金属靶，也可溅射绝缘靶，可以把导体，半导体，绝缘体中的任意材料薄膜化。

3、必须十分注意接地问题。

适宜溅射的靶材种类为各种类型的固体靶材,金属,半导体,绝缘体靶材均可溅射,尤为适用于易产生氧化绝缘层的靶材.如Al,Ti,Mg等金属以及TiQ2,ZnO等氧化物靶材.