本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

尺寸：Φ1500mm，Φ2000mm
刻蚀材料：石英、硅、金属、光刻胶等材料
刻蚀均匀性：2%~8%（光刻胶）
刻蚀速率：50nm~500nm/min真空度（极限）：5x10^-4Pa
气路MFC：标配6种气体，耐腐蚀±0.5%FSI
刻蚀表面粗糙增加值：优于0.2nm

本设备可根据客户技术需求，定制研发生产，具体详情请电联我司。