VLF真空感应熔炼炉 | 型号 | VLF-Fz |
最高加热温度 | |
悬浮电源 | 最大输入功率 | 110KW |
最大输出功率 | 162KW |
采用电源 | IGBT悬浮专用电源 |
振荡频率 | 1-20KHZ（频率自动跟踪） |
冷却水要求 | 电源≥0.2MPa 坩埚 ≥0.35MPa |
感应线圈 | 悬浮炉专用线圈 |
输入电压 | 三相380V 50 HZ |
融化速率 | 10～15min |
坩埚 | 悬浮专用水冷铜坩埚 |
坩埚内尺寸 | Dia |
腔体真空度 | < 5X10 -3Pa |
腔体内尺寸 | Dia750X800mm |
断偶保护和显示 | 有 |
过温保护 | 有 |
过流保护 | 有 |
欠压保护（水压） | 有 |
提拉和下降机构 | 精密可旋转（籽晶杆可旋转）提拉机构，提拉速度为0.1μm/s～2000μm/s 总行程：150mm （可根据客户需要定制） 转速：0-40RPM 可快速手动提拉 提拉速度和行程均可在仪器自带触摸屏上设置 
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红外测温仪（选购） 
| 1、美国进口红外测温仪，特点1、响应时间快、高精度； 2、可24小时实时连续在线测温、安全、耐用； 3、激光瞄准、稳定性好、尤其适合测量高温小目标； 4、10毫秒的响应时间和±0.3%的重复性精度，保证满足您进行快速、精确测温的要求。 |
坩埚可倾倒旋转角度 | 0-360度 （可任意角度偏转） |
真空腔体内是否可接水冷坩埚 | 可以 |
观察窗尺寸 | Dia 90mm |
真空机组 | 机组输入电压 | 380V /220V |
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波纹管 | KF40X1000 |
真空挡板阀 | KF40 |
分子泵 
（方案一） | 分子泵型号 | FJ620 |
输入电压 | 220V |
分子泵进气口法兰 | DN160 |
分子泵抽气速率 L/S（对空气） | 600 |
分子泵极限压强（Pa) | 6×10-7 |
冷却方式 | 水冷 |
冷却水压（MPa） | 0.1-0.2 |
冷却水温度 | <25℃ |
环境温度 | 0～40℃ |
建议启动压强 | <10Pa |
前机真空泵TRP-24 
| 功率 | 0.75KW |
电压 | 220V |
转速 | 1450rpm |
进气口径 | KF25/KF40 |
前机泵抽气速率 （L/S） | 6 |
极限压强 | 4X10 -2Pa |
扩散泵TK150 | 电压 | 220V |
功率 | 1000W |
极限真空度 （在无泄露时） | 10E-5 |
进气接口 | DN150 |
出气接口 | DN40 |
注入油量 | 0.3L |
抽气速率（N2） | 1000L/S |
复合真空计 
| 复合真空计型号 | ZDF |
电源 | 220V 55W |
控制精度 | ± 1% |
真空计测量范围 | 10-5 -10 5 Pa |
| 水冷机 | 功率 | 30KW |
制冷量 | 84.8KW |
冷媒 | R22 |
泵浦功率 | 4.4KW |
电源 | 380V 50Hz |
详细描述
区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同。
区熔法分为两种：水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长。后者主要用于硅，这是由于硅的熔点高，化学性能活泼， 容易受到异物的玷污，难以找到适合的舟皿，不能采用水平区熔法。
如果需要生长极高纯度的硅单晶，其技术选择首先是悬浮区熔提炼，其次是直拉法。区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱线圈内部的部分熔化，线圈移过后，熔料再结晶为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内。
采用悬浮区熔法生长硅单晶时，熔区悬浮于多晶硅棒与下方生长出的单晶之间，故称为悬浮区熔法。由于在熔化和生长硅单晶过程中，不使用石英坩埚等容器，故又称为无坩埚区熔法。因为硅熔体密度小（2.3 g/cm）并有一定的表面张力，加上高频电磁场的托浮作用，所以熔区易保持稳定。
悬浮区熔法除了可用于上述的单晶硅制备外，还可用于提纯多晶硅。后者主要是利用硅中杂质的分凝效应和蒸发效应，获得高纯多晶硅。区熔可在保护气氛（氩、氢）中进行，也可在真空中进行，且可反复提纯（尤其在真空中蒸发速度更快），特别适用于制备高阻硅单晶和探测器级高纯硅单晶。此外，区熔法是检验多晶硅的纯度的手段之一。
区域的温度应略高于材料的熔点。在材料棒自上而下的移动过程中，被加热部分经历了熔化和结晶的过程，最终形成了一个单晶棒。在整个过程中，材料棒是架空的，不与任何容器接触，避免了坩祸对材料的污染，可以用于制备高纯度的晶体。这种方法特别适合于制备高熔点金属或氧化物的单晶体。在用于提纯时，常将上述过程重复数次，由于不同温度下，杂质在固体中的溶解度不同，可以使固体中的杂质汇集在棒的一端。
标准配置
供货范围:
序号 | 产品名称 | 生产厂家 | 数量 |
1 | 炉体系统 | 我司 | 1 套 |
2 | 分子泵（或扩散泵） | KYKY （成都南光） | 1 台 |
3 | 红外测温仪 | 我司 | 1 套 |
4 | 复合真空计 | 成都正华 | 1 台 |
5 | IGBT悬浮专用电源 | 我司 | 1 套 |
6 | 汇流水管 | 我司 | 1 套 |
7 | 气动真空挡板阀 | 川北科技 | 3 件 |
8 | 悬浮专用水冷线圈 | 我司 | 1套 |
9 | 真空管路 | 我司 | 1 套 |
10 | 说明书 | 我司 | 2 套 |
11 | 机械泵 | 北京优成 | 1台 |
12 | 温控器 | 厦门宇电 | 1台 |
13 | 悬浮专用水冷铜坩埚 | 我司 | 1 套 |
