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HQ硒化铋晶体,尺寸~8 mm
HQ硒化铋晶体,尺寸~8 mm图片
产品介绍

Bi2Se3是块体晶体带隙约0.3 eV的拓扑绝缘体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。Bi2Se3属于15族过渡后金属三卤族。 Bi2Se3晶体具有典型的横向尺寸为~0.6-0.8 cm,具有金属外观。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~ 8mm

颜色: 黑灰色

产品特点

Electrical properties:Topological insulator

Crystal structure:Rhombohedral

Unit cell parameters:a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type:Synthetic

Purity:>99.995%

应用领域

Bi₂Se₃(硒化铋)是一种三维拓扑绝缘体,具有多种潜在应用,包括但不限于以下领域:

拓扑绝缘体、量子霍尔效应相关研究:其表面存在受拓扑保护的、无能隙的金属态导电通道,可用于研究拓扑绝缘体的特性和量子霍尔效应等特殊的电学现象;

钠离子电池:在钠离子电池中,基于拓扑绝缘体 Bi₂Se₃的异质结硒化物可以展现出杰出的储钠快充能力。例如超薄的 Bi₂Se₃纳米片具有丰富的电荷快速转移表面,可作为穿入材料内部的电子平台,大大降低电荷传输阻力,提高整体导电性;两种硒化物之间丰富的界面能促进 Na⁺的迁移,并提供额外的活性位点;

热电材料:Bi₂Se₃具有一定的热电性能,可将热能转化为电能,在热电发电机中具有应用潜力;

电子学和器件:由于其特殊的电子性质,可被用于新型电子器件的开发,如拓扑绝缘体晶体管和拓扑绝缘体自旋电子学器件等,这些器件在量子计算和量子信息处理中有潜在应用;

光电器件:在薄层形式下可以表现出二维电学特性,其独特的晶体和电子结构具有宽带光吸收、厚度依赖的表面带隙和偏振敏感光响应等特性,适用于光电子学领域,如可见-红外探测、太赫兹探测等;

磁电性质相关应用:表现出磁电性质,即在磁场中会产生电压,或施加电压时可改变其磁性,这使其在磁电传感器和记忆设备的开发方面具有潜在应用;

光热/光动力联合治疗:如制备成 Bi₂Se3@AIPH 纳米粒子,在单一近红外光照射下,能够实现光热治疗和不依赖于氧的光动力治疗以及免疫治疗,可用于治疗乏氧肿瘤;

催化剂:将 Bi₂Se₃负载于 TiO₂上可以得到纳米复合材料,既提高 TiO₂载流子的有效分离能力,又增强 TiO₂对可见光吸收率,对聚丙烯酸丁酯和丁氧基丙酸丁酯展现出优异的降解活性和稳定性。

其他信息

订货信息

产品编号包装纯度规格
VBG-XF0991 盒99.995%
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