WTe2是一种ii型Weyl半金属，载流子密度低至1E10 cm-2范围，被认为是材料领域的黄金标准。它们在静水压力下也表现出半金属到超导的转变。与其他来源不同，我们的生长涉及高度复杂的浮动区技术，这使我们能够在生长过程中有意地去除缺陷，以获得无缺陷的晶体。根据我们的经验，传统的化学气相输送（CVT）技术严重地将缺陷和杂质引入材料中，并改变其必须的固有特性。此外，CVT方法会产生缺陷晶体，导致环境不稳定。表征结果见图。我们的晶体在三(3)个月的时间内生长，以获得环境稳定，纯净和固有的Weyl响应晶体。我们的WTe2晶体具有保证99.9999% （6N）纯度，高结晶度，结构各向异性和**的层间堆叠，可产生大尺寸单层片。

生长法重要吗？通量区生长法还是CVT生长法？众所周知，层状晶体中的卤化物污染和点缺陷是导致其电子迁移率降低、各向异性响应降低、e-h复合差、低pl发射和低光学吸收的原因。磁通区技术是一种用于合成真正半导体级vdW晶体的无卤化物技术。该方法与化学气相输运（CVT）技术的区别在于：CVT是一种快速（约2周）的生长方法，但晶体质量较差，缺陷浓度达到1E11至1E12 cm-2范围。相比之下，通量法的生长时间较长（～3个月），但可以保证缓慢结晶以获得**的原子结构，并且可以实现缺陷浓度低至1E9 - 1E10 cm-2的无杂质晶体生长。

技术参数

晶体尺寸：～1cm

纯度: 99.99%

产品特点

Material properties:Type II Weyle semimetal

Crystal structure:Orthorombic phase (P configuration)

应用领域

磁传感器：WTe2因其极大的磁阻特性，被广泛用于磁传感器中。这些传感器能够精确测量磁场的变化，并应用于多种领域，如工业控制、医疗设备、航空航天等。

霍尔传感器：利用WTe2的磁阻效应，可以制造高精度的霍尔传感器，用于电流和磁场的测量。

温度传感器：在低温或高强度磁场下，WTe2的性能稳定且能够进行精确测量，因此也被用于温度传感器的制造。

电流测定与磁场测量：WTe2的高磁场强度下无饱和点特性，使其成为电流和磁场测量的理想材料。

近感探测与测量仪器：在需要高精度测量的场合，如石油气体和矿石的回收过程中，WTe2也被用作近感探测器和测量仪器的关键部件。

其他信息

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