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高真空PECVD系统
高真空PECVD系统图片
产地:广东


产品介绍

高真空PECVD系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺研发设备,用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,镀膜样品为156*156mm基片(并向下兼容)。

产品型号

高真空PECVD系统

主要特点

1、系统采用单室方箱式结构,手动前开门;

2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造(304),氩弧焊接,表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口,并带挡板,真空尺寸为300mm×300×280mm;

3、采用样品在下,喷淋头在上喷淋式进气方式

4、气路设有匀气系统,真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置

5、系统设有硅烷尾气处理系统(高温裂解方式)。

技术参数

1、停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa;

2、样品加热最高加热温度:300℃,温控精度:±1℃,采用日本进口控温表进行控温;

3、喷淋头尺寸:200×200mm,喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调,并带有标尺指数显示,采用金属焊接波纹管+进口直线导轨+进口丝杠+进口光轴方式,升降平稳、无抖动,保证了电极与样品的平行度;

4、 沉积工作真空:13-1300Pa;

5、射频电源:频率 13.56MHz,最大功率500W,全自动匹配;

6、SiH4、NH3、N2O、N2、H2、Ar 6路气体,共计使用6个质量流量控制器控制进气。

标准配件

可选配件

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广东科晶智达科技有限公司
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