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高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV
高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV图片
型号:OTF-1200X-4-RTP-C3HV
产地:广东


产品介绍

高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成,可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品(尺寸可达3″ )的退火,并采用 10KW的红外灯进行加热,最快升温速度可达 120℃/s,配有RS485 接口,可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。

产品型号

高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:不需要

2、电:AC220V 50Hz,必须有良好接地

3、气:设备腔室内需充注气体,需自备气瓶气源

4、工作台:尺寸1600mm×600mm×700mm,承重150kg以上

5、通风装置:需要

主要特点

1、双层Al2O3纤维钢构,无需水冷或风冷。

2、内炉膛表面涂有进口高温氧化铝涂层,可以提高设备的加热效率及延长仪器的使用寿命。

3、PID控制器,可以设置30段升降温程序,并设有过热保护和断偶功能。

4、已通过CE认证。

技术参数

1、电源:单相208V-240V AC 50Hz/60Hz 10KW

2、石英管:外径Ø110mm,内径Ø103mm,长380mm

3、加热元件:8根红外灯管,灯丝长200mm,丝圈Ø10mm,灯长300mm

4、加热区:300mm

5、工作温度:最高温度1100℃

6、控温精度:±0.5℃

7、最高升温速度:RT-800℃时为50℃/s,800℃-1000℃时为10℃/s

8、温控仪:可控硅(SCR)PID自动控制

9、真空法兰:不锈钢,带有水冷接口和针阀,双层高温O型圈密封,长时间在>900℃条件下运行必须采用水 冷,循环水流量为0.5m3/hr

10、真空度:10-2torr(机械泵),10-5torr(分子泵)

11、质量流量计:3个,MFC1范围0-100sccm,MFC2范围0-200sccm,MFC3范围0-500sccm,精度1±%FS

12、混气罐:Ø80mm×120mm

产品规格

尺寸:炉体760mm×330mm×530mm,真空混气系统600mm×600mm×597mm

重量:炉体45kg,真空混气系统75kg

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