刻蚀设备在半导体行业中占据着至关重要的地位，可以实现纳米级的精密刻蚀。对复杂微结构的器件加工，微电子器件的制造提供重要支持，在芯片领域发挥着关键作用。

1. 设备尺寸：1200*1500*1800mm。

2. 极限真空：优于≤8.0×10-5Pa。

3. 样品尺寸：6英寸向下兼容。

4. 刻蚀类型：物理刻蚀。

5. 刻蚀气体：Ar、O2。

6. 刻蚀气体流量：0~100sccm。

7. 离子源类型：考夫曼直流离子源，角度可调。